Nikon stepper I7-I14 步进扫描投影光刻工艺简述
集成电路的制造是一件极为复杂的事情，需要经过近 800 道物理、化学工序。其中有主要的 5 个阶段：晶圆（wafer）的制备、芯片（chip）的制造、芯片的检测、芯片的封装、验收测试[15]。其中芯片的制造依靠的就是光刻技术。
光刻技术主要可以分为直写光刻技术和投影光刻技术，其中直写光刻虽然精度高且不需要掩模板，但其生产效率低，不适合芯片的工业批量生产。投影光刻技术通过光学成像将掩模板上的电路信息刻蚀到晶圆上，效率是直写光刻技术的 100 倍以上。
Nikon stepper I7-I14 步进扫描投影光刻流程一般包括如下步骤：预处理、涂胶、前烘、对准与曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀与离子注入、去胶。
1．预处理：在涂抹光刻胶之前，一般要对硅衬底预先进行处理。包括脱水烘焙，涂抹化合物增加衬底表面附着能力。
2．涂胶：将光刻胶平整、均匀地涂抹在硅衬底表面。
3. 前烘：对于液态的光刻胶，杂质容易污染溶剂。通过在较高温度下烘焙,可以使溶剂挥发。
4. 对准与曝光：对准曝光区域，在掩模板和光刻胶之间使用光刻物镜聚集光实现曝光。
5. 后烘：再次烘焙，目的是减少驻波效应，激发化学反应使正光刻胶更易溶于显影液。
6. 显影：曝光和后烘流程结束后，便加入显影液。显影液会和正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区发生化学反应。显影完成后，光刻胶层中的图案便显现出来。实际工艺中为了保证高质量的显影效果，每一种光刻胶几乎都有专门适配的显影液，这样成像质量和分辨率会提高。
7. 硬烘：利用高温，烘去光刻胶中残存的液体溶剂，增强光刻胶和硅衬底之间的附着力。提高后续刻蚀离子注入时的抗刻蚀能力。同时光刻胶层中的图形缺陷因高温圆滑化而减少。
8.刻蚀与离子注入：针对硅晶上无光刻胶遮蔽的区域，进行刻蚀和离子注
入，实现掩模板上图案的转移。
9.去胶：去除光刻胶层。
一般要经过 20-40 次以上工序，才能得到最后封装的芯片。正是因为如此精密复杂的工序，一块小小的芯片才有着高存储强运算能力。
复杂的光刻工艺是在光刻机中完成的，如尼康光刻机Nikon I7-I14,S204等机型主要由6个部分组成：光源、照明系统、掩模台、投影光刻物镜、晶圆台、其它控制系统。
光源：主要是高功率的紫外光源，为光刻机提供稳频率稳功率的光，光源功率的大小决定了光刻机的产能。
照明系统：为掩模板提供高度均匀的照明，并且能够提供各种复杂照明模式如离轴照明偏振照明，同时还能够调节照明相干因子。
掩模台：处于光刻物镜的物面，夹持掩模，并实现与晶圆台的高精度同步步进扫描。
投影光刻物镜：光刻机最核心的部件，负责将掩模板上的图案投影在晶圆上。因为半导体刻线要求非常高精密，所以光刻物镜成像质量要求非常严苛。
晶圆台：控制晶圆的传输。
其它控制系统：如对准系统，环控系统，传输系统等。
从某种意义上说，晶圆的工艺能力取决于光刻机的性能。半导体制程要求越高，光刻机便越精密复杂，其中包括高频率的激光光源、光掩模的对位精度、设备稳定度等等，集合了许多领域的最尖端技术。
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